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真空離子鍍膜技術(shù)分析
發(fā)布時間:2014-09-11 瀏覽:  次

  真空離子鍍膜技術(shù)(簡稱離子鍍)是由美國Sandin公司的D.M.Mottox開發(fā)的將真空蒸發(fā)和真空濺射相結(jié)合的一種新鍍膜技術(shù)。

  離子鍍技術(shù)的一個重要特征是在基片上施加負偏壓,用來加速離子,增加調(diào)節(jié)能量。

  負偏壓的供電方式,除傳統(tǒng)的可調(diào)直流偏壓外,近年來,又引入了高頻脈沖偏壓技術(shù)。脈沖的頻率、幅值、占空比可調(diào),有單極脈沖,也有雙極脈沖。

  這樣可使偏壓和基片溫度參數(shù)分別控制。

  在基體上施加偏壓,可產(chǎn)生更大的電場力,使等離子體中部分正離子加速到達基片上轟擊和沉積。

  即利用氣體放電產(chǎn)生等離子體,通過碰撞電離,除部分工作氣體電離外,使膜材原子也部分電離,同時在基片上加負偏壓,可對工作氣體和膜材的電離離子加速增加能量,且吸引它們到達基片;一邊轟擊基片,一邊沉積,這對膜的品質(zhì)、性能均有較大改善。這是離子鍍技術(shù)最突出的特點。

  離子鍍與蒸發(fā)鍍、濺射鍍的本質(zhì)區(qū)別是前者在基片上施加負偏壓,后者在基片上未加負偏壓。

  因此,在前面講述過的各種蒸發(fā)鍍、濺射鍍技術(shù)中,若能在基片(導電基材)上施加一定幅值的直流或脈沖負偏壓,便可使其變成蒸發(fā)離子鍍、濺射離子鍍,統(tǒng)稱離子鍍。

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