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| PVD混合運用技術(shù) |
| 發(fā)布時間：2014-12-10 瀏覽： 次 |
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真空蒸鍍、濺射鍍膜、離子鍍膜各種沉積手段及方法混合運用是PVD技術(shù)最新進展之一，經(jīng)過多種離子源的組合運用，可以解決單一沉積手段的缺點，獲得良好的效果，比如離子鍍，采用脈沖激光作為蒸發(fā)源，然后對蒸汽進行等離子體化，加上負偏壓，不但可以提高沉積速率，還可以改善沉積粒子的活性，提高沉積能量。 在蒸鍍中，采用熱絲電子發(fā)射，使蒸汽原子離化，就可以對基片加上偏壓，獲得具有轟擊效果的沉積膜層。 真空陰極電弧和磁控濺射技術(shù)組合在一起進行同時沉積的技術(shù)，也是近年來應用工業(yè)生產(chǎn)中的一種復合技術(shù)，其設備稱為多弧一磁控濺射多功能鍍膜機，用于離子摻金鍍膜。 真空鍍膜室內(nèi)安裝數(shù)個陰極蒸發(fā)源，陰極為鈦或鋯，中間裝有柱狀磁控濺射靶，靶材為金。首先按照多弧離子鍍的工藝參數(shù)和操作規(guī)程在鍍件上沉積TiN(或ZrN)鍍層，再開啟磁控濺射靶涂鍍(TiAu)N涂層，從而得到TiN +(TiAu)N的復合膜。 最后關(guān)閉多弧蒸發(fā)源的供電電源，使多弧蒸發(fā)源停止工作，只用磁控濺射法在被鍍件表面的最外一層沉積Au，則可得到TiN十(TiAu)N+ Au的多層復合膜。 摻金后的被鍍件經(jīng)過耐腐蝕性和耐磨性試驗和測試，膜仍保持完整，膜層成分在摩擦前后基本保持一致：摩擦前Au為97.59%，Ti為2.41 %，摩擦后Au為95.46%，Ti為4.54%。摩擦條件是在1000g載荷下，在ML-10磨損試驗機上摩擦，往復次數(shù)為500次，摩擦蹤距離為9.42km。 復合式離子鍍膜設備采用孿生靶的先進技術(shù)，克服直流濺射固有的靶中毒、打火等不良弊病，可以鍍制諸如A1203、Si02氧化優(yōu)質(zhì)膜，使鍍件的抗氧化耐蝕性能又有所提高和改善。 復合式真空離子鍍膜設備，中心安裝柱狀多弧靶，靶材為鈦或鋯。 它不但能保持多弧技術(shù)離化率高、沉積速率快的特點，還能有效地降低小平面多弧靶沉積過程中很難避免的“液滴”的缺陷，從而可以制備出低孔隙率的金屬薄膜或化合物薄膜;在周邊安裝了孿生平面磁控，靶材為鋁或硅，可以鍍A1203或Si02金屬陶瓷膜;另外，在周邊還安裝了多個小平面多弧蒸發(fā)源，靶材為鉻或鎳，可以鍍制多層金屬膜和多層復合膜。 復合式離子鍍膜設備由于具有多種不同形式鍍膜裝置及不同材質(zhì)的蒸發(fā)源及濺射靶，它們既可以獨立地分別工作又可以同時工作，既能制備純金屬膜又能制備金屬化合物膜或復合材料膜;既能制備單層薄膜又能制備多層復合膜，用途極其廣泛。 推薦閱讀 |
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